MOSFET de potencia de canal N NCE40H12K de bajísima resistencia RDS(on) con soporte de 40V y hasta 120A en cápsula TO-252 (DPAK). Utilizado en fuentes síncronas, inversores y etapas de alta corriente.
MOSFET de potencia de canal N NCE40H12K de bajísima resistencia RDS(on) con soporte de 40V y hasta 120A en cápsula TO-252 (DPAK). Utilizado en fuentes síncronas, inversores y etapas de alta corriente.